Einführung in die Siliziumkohlenstofflegierung
Siliziumkohlenstoff (SIC) ist ein Halbleitermaterial der Gruppe IV-IV-Verbindung, das aus Silizium (SI) und Kohlenstoff (C) mit der chemischen Formel sic besteht. Es hat eine einzigartige Kristallstruktur (z. B. 3c sic im kubischen Kristallsystem, 4H sic und 6h sic im hexagonalen Kristallsystem usw.), es mit hervorragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften aussieht und als einer der Vertreter der "Halbwirkermaterialien der dritten Generation" bekannt ist.
Schlüsselmerkmale
Breiter Bandgap (2,3-3,3 eV):
Hochdruck- und Hochtemperaturwiderstand (Arbeitstemperatur kann über 600 Grad C erreichen) und für Hochleistungsanwendungen geeignet.
Elektrische Feldstärke mit hoher Ausbrüche (etwa das Zehnfache des Siliziums):
Geräte können dünner, kleiner und effizienter gemacht werden.
Hohe thermische Leitfähigkeit (≈ 4,9 W/cm · k):
Ausgezeichnete Leistung der Wärmeableitungen, Reduzierung der Kühlanforderungen.
Hochelektronensättigende Driftgeschwindigkeit:
Geeignet für Hochfrequenz- und Hochgeschwindigkeitsschalteranwendungen.
Hauptantragsbereiche
1. elektronische Leistungsstärkegeräte
Stromversorgungsgeräte: SIC -Dioden, MOSFETs, IGBT -Module usw., die in Elektrofahrzeugen, Industriemotoren, Solar -Wechselrichter verwendet werden, um den Energieverlust zu verringern.
Vorteile: Erhöhte Effizienz um über 10% im Vergleich zu siliciumbasierten Geräten und verringerte das Volumen um 50%.
2. Neue Energiefahrzeuge
Elektrisches Antriebssystem: SIC -Wechselrichter verbessert die Akkulaufzeit (z. B. Tesla -Modell 3 unter Verwendung von SIC -Modulen).
Ladestation: Unterstützt Ultra-Schnellladungen (z. B. 800-V-Hochspannungsplattform).
3.. Erneuerbare Energien
Photovoltaik -Wechselrichter: Effizienz der Solarenergieumwandlung verbessern und den Wärmeverlust verringern.
Wechselstrom -Wechselrichter: Anpassen an harte Umgebungen und verlängern Sie ihre Lebensdauer.
4. Funkfrequenz (RF) und Kommunikation
5G-Basisstation: Geräte auf SIC-Basis Galliumnitrid (GaN on SIC) werden für Hochfrequenzstromverstärker verwendet.
Radarsystem: Hochleistungsdichte geeignet für militärische und Luft- und Raumfahrtanwendungen.
5. Industrie und Energie
Smart Grid: SIC-Geräte in Hochspannungs-Gleichstromübertragung (HVDC) reduzieren die Übertragungsverluste.
Industrial Motor Drive: Verbessert die Energieeffizienz und erfüllt energiesparende Standards.
6. Extreme Umgebungsanwendungen
Luft- und Raumfahrt: Geeignet für Satelliten- und Raumfahrzeuge mit Strahlungswiderstand und hohen Temperaturwiderstandseigenschaften.
Kernenergieausrüstung: arbeitet stabil in Hochtemperatur-Strahlungsumgebungen.
7. Andere Felder
LED -Substrat: 4H sic wird als Substratmaterial für LEDs mit hoher Helligkeit verwendet.
Verschleiß resistantes Material: SIC -Keramik werden für mechanische Dichtungen, kugelsichere Rüstung usw. verwendet.
Marktaussichten und Herausforderungen
Vorteil: Die Nachfrage nach Energieeinsparung und Emissionsreduzierung führt zu einem schnellen Wachstum des SIC -Marktes mit einer erwarteten Marktgröße von über 10 Milliarden US -Dollar bis 2030.
Herausforderung:
Kristallwachstum ist schwierig (Defektkontrolle ist schwierig) und die Kosten sind hoch.
Prozesskompatibilität (z. B. Integration mit herkömmlichen Siliziumproduktionslinien, die Verbesserungen erfordern).

Spezifikation der Siliziumkohlenstofflegierung
|
Grad |
Si |
C |
Al |
S |
P |
|
SI68C18 |
68%min |
18%min |
3%max |
0,05%max |
0,05%max |
|
SI65C15 |
65%min |
15%min |
3%max |
0,1%max |
0,1%max |
|
SI60C20 |
60%min |
20%min |
4%max |
0,1%max |
0,1%max |
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Strenge Qualitätskontrolle: Übernahme internationaler Standardproduktionsprozesse, Schlüsselindikatoren wie Siliziumgehalt, Partikelgröße und Verunreinigungen sind den Industriestandards überlegen
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Weithin anwendbar: Geeignet für mehrere Felder wie Casting, Metallurgie, Edelstahl usw. Die Zusammensetzung kann entsprechend den Anforderungen angepasst werden
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