Siliziumcarbid sic

Kiesigen Kohlenstoff(Normalerweise bezieht sich SIC auf Siliziumkarbid) ein Hochleistungs-Keramikmaterial, das aufgrund seiner hervorragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften in verschiedenen High-Tech-Feldern häufig verwendet wird. Das Folgende sind die Hauptanwendungsbereiche und die damit verbundenen Prozess der Prozesstechnologie:

1, Anwendungsfelder

Halbleiter und elektronische Geräte

Elektronische Geräte für Stromversorgung: Wird zur Herstellung von Hochspannungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzgeräten (wie MOSFETs und Dioden), Verbesserung der Energieumwandlungseffizienz und in neuen Energiefahrzeugen, Photovoltaik-Wechselrichtern, Railtransit usw. verwendet.

RF-Geräte: Stromverstärker in 5G-Kommunikationsbasisstationen profitieren von den hochfrequenten Eigenschaften von sic.

Extreme umweltfeste Geräte: Raumfahrzeug, Kernkraftwerke und andere Szenarien mit starker Strahlung und hohen Temperaturen.

Hohe Temperatur- und Verschleißmaterialien

Industrieöfenbauteile: Heizelemente, feuerfeste Ziegel (sic hat einen Schmelzpunkt von bis zu 2700 Grad).

Mechanische Dichtungen und Lager: Mithilfe ihrer hohen Härte und Verschleißfestigkeit werden sie in chemischen Pumpen und Bergbaugeräten verwendet.

Kugelsichere Rüstung: Leichtes Verbundpanzermaterial.

Optoelektronikfeld

LED -Substrat: Epitaxiale Schichten für Galliumnitrid (GaN) zur Steigerung der Leuchtmitteleffizienz.

UV -Detektor: SIC ist empfindlich gegenüber ultraviolettem Licht und resistent gegen hohe Temperaturen.

Neue Energie- und Umweltschutz

Ladestation für Elektrofahrzeuge: SIC -Geräte verkürzen die Ladezeit.

Wasserstoffenergie-Technologie: Korrosionsresistente Elektrodenmaterialien in Elektrolytzellen.

Eads

Turbinenmotorblattbeschichtung: Verbessert die Hochtemperaturbeständigkeit.

Satellitenstrukturkomponenten: hohe Steifheit, niedriger thermischer Expansionskoeffizienten.

2, wichtige Punkte der Prozesstechnologie

Vorbereitungsmethode

Acheson-Methode: Die herkömmliche Methode beinhaltet die Reaktion von Silica-Sand mit Erdölkoks in einem hochtemperativen elektrischen Ofen (niedrige Kosten, aber niedrige Reinheit).

Chemische Dampfabscheidung (CVD): Hochreinheit sic dünnem Filmwachstum, der für Halbleiter verwendet wird (wie Reaktionsgase von SiH ₄+C ∝ H ₈).

Physischer Dampfübertragung (PVT): Eine Schlüsseltechnologie zur Herstellung von SIC-Einzelkristallsubstraten großer Größe.

Verarbeitungsschwierigkeiten

Schneiden und Polieren: SIC hat eine hohe Härte (MOHS -Härte 9.2) und erfordert Diamantdrahtabschneidung oder Laserverarbeitung. Das Polieren erfordert nanoskalige Prozesse.

Doping-Technologie: Regulierung der elektrischen Eigenschaften durch Stickstoff-Doping (N-Typ) oder Aluminium-Doping (P-Typ).

Geräteherstellung

Epitaxialwachstum: epitaxielles Wachstum der sic- oder gaN -Schicht auf dem SIC -Substrat zur Kontrolle der Defektdichte.

Gateoxidprozess: SIC/SIO ₂ -Schroa -Defekt -Management ist der Kern der Verbesserung der MOSFET -Leistung.

Neue Technologie

3D-Druck-SIC-Keramik: Kombinieren von Bindemittel Sprühen und Hochtemperatursintern zur Herstellung komplexer Komponenten.

Nano -SIC -Verbundwerkstoffe: Verbessern Sie die mechanische/thermische Leitfähigkeit der Polymer- oder Metallmatrix.

Größe

1-10 mm, 0-10 mm, 0-5 mm, 0,5-5 mm; usw

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